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Relais
Diskrete Geräte beziehen sich auf unabhängig verpackte, einfunktionale Halbleiter- oder elektronische Komponenten in elektronischen Schaltungen im Gegensatz zu integrierten Schaltkreisen (ICs). Sie führen typischerweise nur eine grundlegende Funktion (z. B. Schalten, Verstärkung, Gleichberechtigung) aus und erzielen komplexe Funktionen durch Kombinationen von externen Schaltungen. Als grundlegende Bausteine elektronischer Systeme werden diskrete Geräte in Bereichen wie Stromverwaltung, Signalverarbeitung und Leistungsumwandlung weit verbreitet. Häufige Beispiele sind Dioden, Transistoren, Widerstände, Kondensatoren, Induktoren usw.
A fuse is a critical sA DC contactor is a specialized electromechanical switch for direct current circuits, using an electromagnet to actuate contacts and enable controlled connection or disconnection of high-current DC circuits, while safely switching DC loads, providing circuit isolation, facilitating remote operation of high-power DC systems, and ensuring reliable current control in DC-powered equipment such as electric vehicles, battery storage systems, industrial DC -Laufwerke und DC -Komponenten für erneuerbare Energien (Solar/Wind).
| Teile-Nr. | Kontaktanordnung | Kontaktwiderstand | Kontaktbewertung | Spulennennspannung | Max. Kontaktspannung | Max. Kontakt Strom | Hilfskontakt |
| EVHC50-12S/24S | 1A | ≤2mω（@50A &20℃） | 50A | 12V/24V | 1500VDC | 300A@500V 2-mal | ohne |
| EVHC50A-12S/24S | 1A | ≤2mω（@50A &20℃） | 50A | 12V/24V | 1500VDC | 300A@500V 2-mal | mit |
| EVHC100-12S/24S | 1A | ≤2mω（@100A &20℃） | 100A | 12V/24V | 1500VDC | 300A@500V 3-mal | ohne |
| EVHC100A-12S/24S | 1A | ≤2mω（@100A &20℃） | 100A | 12V/24V | 1500VDC | 300A@500V 3-mal | mit |
| EVHB150-12B/24B | 1A | ≤1mω（@150A &20℃） | 150A | 12V/24V | 1500VDC | 2500 A bei 300 V, 1-mal | ohne |
| EVHB150A-12B/24B | 1A | ≤1mω（@150A &20℃） | 150A | 12V/24V | 1500VDC | 2500 A bei 300 V, 1-mal | mit |
| EVHB200-12B/24B | 1A | ≤1mω（@200A &20℃） | 200A | 12V/24V | 1500VDC | 2500A@300V 2-mal | ohne |
| EVHB200A-12B/24B | 1A | ≤1mω（@200A &20℃） | 200A | 12V/24V | 1500VDC | 2500A@300V 2-mal | mit |
| EVHB250-12B/24B | 1A | ≤1mω（@250A &20℃） | 250A | 12V/24V | 1500VDC | 2500A@300V 3-mal | ohne |
| EVHB250A-12B/24B | 1A | ≤1mω（@250A &20℃） | 250A | 12V/24V | 1500VDC | 2500A@300V 3-mal | mit |
| JEB300-12B/24B | 1A | ≤0,3 mω（@300A &20℃） | 300A | 12V/24V | 1500VDC | 3500 A bei 300 V, 1-mal | ohne |
| JEB300A-12B/24B | 1A | ≤0,3 mω（@300A &20℃） | 300A | 12V/24V | 1500VDC | 3500 A bei 300 V, 1-mal | mit |
| JEB350-12B/24B | 1A | ≤0,3 mω（@350A &20℃） | 350A | 12V/24V | 1500VDC | 4000 A bei 300 V, 1-mal | ohne |
| JEB350A-12B/24B | 1A | ≤0,3 mω（@350A &20℃） | 350A | 12V/24V | 1500VDC | 4000 A bei 300 V, 1-mal | mit |
| JEB450-12B/24B | 1A | ≤0,3 mω（@450A &20℃） | 450A | 12V/24V | 1500VDC | 4500 A bei 300 V, 1-mal | ohne |
| JEB450A-12B/24B | 1A | ≤0,3 mω（@450A &20℃） | 450A | 12V/24V | 1500VDC | 4500 A bei 300 V, 1-mal | mit |
| JEB550-12B/24B | 1A | ≤0,3 mω（@550A &20℃） | 550A | 12V/24V | 1500VDC | 5000 A bei 300 V, 1-mal | ohne |
| JEB550A-12B/24B | 1A | ≤0,3 mω（@550A &20℃） | 550A | 12V/24V | 1500VDC | 5000 A bei 300 V, 1-mal | mit |
| Teile-Nr. |
Ersatz
Teile-Nr. | Paket | Lastspannung (V) |
Kontinuierlich
Laststrom (A) | Typ.On-Widerstand(ω) | Kanal | Betriebstemperatur (℃) |
Isolationsspannung
(VRMS) |
| HSSR-61A0D | AQV258 | DIP5/SMD5 | 1500 | 0.02 | 100 | 1 NO | -40~125 | 5000 |
| HSSR-16S1A0D-2 |
ASSR-601J
TLX9160 | SOP16 | 1500 | 0.02 | 100 | 1 NO | 5000 | |
| HSSR-DA01 | AQW214 | DIP8/SMD8 | 400 | 0.1 | 25 | 2 NO | -40~85 | 5000 |
| HSSR-DA04 | AQW216 | 600 | 0.05 | 40 | 5000 | |||
| HSSR-DA05 | AQW212 | 60 | 0.5 | 1 | 5000 | |||
| HSSR-DA06 | / | 60 | 2 | 0.1 | 5000 | |||
| HSSR-DA08 | / | 60 | 1.25 | 0.2 | 5000 | |||
| HSSR-61A01 | AQV214 | DIP6/SMD6 | 400 | 0.1 | 25 | 1 NO | 5000 | |
| HSSR-61A04 | AQV216 | 600 | 0.05 | 40 | 5000 | |||
| HSSR-61A05 | AQV212 | 60 | 0.5 | 1 | 5000 | |||
| HSSR-61A08 | AQV212G | 60 | 1.25 | 0.2 | 5000 | |||
| HSSR-61A06 | / | 60 | 2 | 0.1 | 5000 | |||
| HSSR-41A01 | AQY214 | DIP4/SMD4 | 400 | 0.1 | 25 | 1 NO | 5000 | |
| HSSR-41A04 | AQY216 | 600 | 0.05 | 40 | 5000 | |||
| HSSR-41A05 | AQY212 | 60 | 0.5 | 1 | 5000 | |||
| HSSR-41A08 | AQY212G | 60 | 1.25 | 0.2 | 5000 | |||
| HSSR-41A06 | AQY272 | 60 | 2 | 0.1 | 5000 | |||
| HSSR-41A11 | AQY414 | 400 | 0.1 | 25 | 1 NC | 5000 | ||
| HSSR-41A15 | AQY412 | 60 | 0.5 | 1 | 5000 | |||
| HSSR-S1A01-2 | TLP172GAM | SOP4 | 400 | 0.1 | 25 | 1 NO | -40~110 | 3750 |
| HSSR-S1A04-2 | TLP170J | 600 | 0.05 | 40 | 3750 | |||
| HSSR-S1A05-2 | TLP172AM | 60 | 0.5 | 1 | 3750 | |||
| HSSR-S1A08-2 | AQY212G2S | 60 | 1.25 | 0.2 | 3750 |
Ein Transistor ist eine Halbleitervorrichtung, die aus drei Halbleiterregionen und ihren entsprechenden Elektroden besteht. Es wird in den NPN -Typ- und PNP -Typ eingeteilt. Sein Betrieb basiert auf der Bewegung von Trägern und der aktuellen Kontrolle. Wenn die Basis und der Emitter vorwärts gereizt sind, werden die meisten Fluggesellschaften im Emitter in die Basisregion injiziert, und dann diffundieren ein Teil davon in den Kollektorbereich, um den Kollektorstrom zu bilden. Darüber hinaus kann eine kleine Änderung des Basisstroms zu einer signifikanten Änderung des Sammlerstroms führen. Die wichtigen Parameter umfassen den aktuellen Amplifikationsfaktor, Parameter im Zusammenhang mit Grenz- und Sättigungseigenschaften sowie Frequenz charakteristische Parameter usw. Es wird in Feldern wie Verstärkungsschaltungen, Schaltschaltungen sowie Signalmodulation und Demodulation angewendet.
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