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Photo MOSFET Solid State Relay 600V ul zertifiziert EV BMS HSSR-S1A04H-2 1
Photo MOSFET Solid State Relay 600V ul zertifiziert EV BMS HSSR-S1A04H-2 2
Photo MOSFET Solid State Relay 600V ul zertifiziert EV BMS HSSR-S1A04H-2 1
Photo MOSFET Solid State Relay 600V ul zertifiziert EV BMS HSSR-S1A04H-2 2

Photo MOSFET Solid State Relay 600V ul zertifiziert EV BMS HSSR-S1A04H-2

Das HSSR-S1A04H-2 besteht aus einem AlgaaS-Infrarot-Emitting-Dioden-Eingangsstufe, der optisch an einen Hochspannungsausgangsdetektorschaltung gekoppelt ist. Der Detektor besteht aus einem Hochgeschwindigkeits-Photovoltaik-Dioden-Array und der Treiberschaltung, um zwei diskrete Hochspannungs-MOSFETs ein-/auszuschalten  Die Relaisaktion mit einem minimalen Eingangsstrom von 5 mA durch die Eingabe -LED  Das Relais reset mit einer Eingangsspannung von 0,8 V oder weniger zurück. Produkte in Abbildung 1 gezeigt.
Zertifizierung:
UL,VDE,CQC, AEC-Q101
Anwendung:
Telekommunikationswechsel, Datenkommunikation, Batteriemanagement (BMS), Industriekontrollen, Medizinische Ausrüstung, EMR / Reed Relais Ersatz.

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    Produktmerkmale


    Produkte entsprechen UL, VDE, CQC -Sicherheitszertifizierung.

    Products hat eine AEC-Q101-Testzertifizierung bestanden.

    Einzelkanal normalerweise am Relais mit einem Pole-Single-Wurf (SPST).

    600 -V -Ausgangsspannung.

    50 -mA -Aktuelle Bewertung.

    Niedriger Eingangsstrom: CMOS -Kompatibilität

    Hochgeschwindigkeitsumschaltung: 0,5 ms (Tonne), 0,2 ms (Toff) typisch

    Isolationsspannung mit hoher Eingabe-zu-Ausgabe: 3750 VRMs für 1 min.

    Teilnummer HSSR-S1A04H-2
    Ersatzteil Nr. Nr. TLP170J
    Paket SOP4
    Lastspannung (v) 600
    Kontinuierlicher Laststrom (a) 0.05
    Typ.on -Widerstand (ω) 40
    Kanal 1 NO
    Betriebstemperatur (℃)  -40~110
    Isolationsspannung (VRMs) 3750

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