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Foto-MOSFET-Halbleiterrelais 600 V, UL-zertifiziert, EV BMS HSSR-S1A04h-2 1
Foto-MOSFET-Halbleiterrelais 600 V, UL-zertifiziert, EV BMS HSSR-S1A04h-2 2
Foto-MOSFET-Halbleiterrelais 600 V, UL-zertifiziert, EV BMS HSSR-S1A04h-2 1
Foto-MOSFET-Halbleiterrelais 600 V, UL-zertifiziert, EV BMS HSSR-S1A04h-2 2

Foto-MOSFET-Halbleiterrelais 600 V, UL-zertifiziert, EV BMS HSSR-S1A04h-2

Der HSSR-S1A04h-2 besteht aus einer AlGaAs-Infrarot-Emissionsdiode als Eingangsstufe, die optisch mit einer Hochspannungs-Ausgangsdetektorschaltung gekoppelt ist. Der Detektor umfasst ein Hochgeschwindigkeits-Photovoltaik-Diodenarray und eine Treiberschaltung zum Ein- und Ausschalten zweier diskreter Hochspannungs-MOSFETs. Das Relais schaltet bei einem minimalen Eingangsstrom von 5 mA durch die Eingangs-LED. Es wird bei einer Eingangsspannung von 0,8 V oder weniger zurückgesetzt. Die Produkte sind in Abbildung 1 dargestellt.
Zertifizierung:
UL,VDE,CQC,AEC-Q101
Anwendung:
Telekommunikationsvermittlung, Datenkommunikation, Batteriemanagement (BMS), Industriesteuerungen, Medizintechnik, EMR / Reed-Relais-Austausch.
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    Produktmerkmale


    Die Produkte entsprechen den Sicherheitszertifizierungen UL, VDE und CQC.

    Das Produkt hat die AEC-Q101-Testzertifizierung bestanden.

    Einkanaliges, normalerweise einpoliges Ein-/Ausschaltrelais (SPST).

    600 V Ausgangsspannungsfestigkeit.

    50 mA Nennstrom.

    Niedriger Eingangsstrom: CMOS-Kompatibilität

    Hochgeschwindigkeitsschaltung: Typischerweise 0,5 ms (Einschalten), 0,2 ms (Ausschalten).

    Hohe Eingangs-Ausgangs-Isolationsspannung: 3750 Vrms für 1 Minute.

    Teilenummer HSSR-S1A04h-2
    ErsatzteilnummerTLP170J
    PaketSOP4
    Lastspannung (V)600
    Dauerlaststrom (A)0.05
    Typ.Einschaltwiderstand (Ω)40
    Kanal1 NO
    Betriebstemperatur (℃) -40 bis 110
    Isolationsspannung (VRMS) 3750

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