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Foto-MOSFET-Halbleiterrelais 600 V, UL-zertifiziert, EV BMS HSSR-S1A04h-2
Der HSSR-S1A04h-2 besteht aus einer AlGaAs-Infrarot-Emissionsdiode als Eingangsstufe, die optisch mit einer Hochspannungs-Ausgangsdetektorschaltung gekoppelt ist. Der Detektor umfasst ein Hochgeschwindigkeits-Photovoltaik-Diodenarray und eine Treiberschaltung zum Ein- und Ausschalten zweier diskreter Hochspannungs-MOSFETs. Das Relais schaltet bei einem minimalen Eingangsstrom von 5 mA durch die Eingangs-LED. Es wird bei einer Eingangsspannung von 0,8 V oder weniger zurückgesetzt. Die Produkte sind in Abbildung 1 dargestellt.
Zertifizierung:
UL,VDE,CQC,AEC-Q101
Anwendung:
Telekommunikationsvermittlung, Datenkommunikation, Batteriemanagement (BMS), Industriesteuerungen, Medizintechnik, EMR / Reed-Relais-Austausch.
5.0
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Produktmerkmale
● Die Produkte entsprechen den Sicherheitszertifizierungen UL, VDE und CQC.
● Das Produkt hat die AEC-Q101-Testzertifizierung bestanden.
● Einkanaliges, normalerweise einpoliges Ein-/Ausschaltrelais (SPST).
● 600 V Ausgangsspannungsfestigkeit.
● 50 mA Nennstrom.
● Niedriger Eingangsstrom: CMOS-Kompatibilität
● Hochgeschwindigkeitsschaltung: Typischerweise 0,5 ms (Einschalten), 0,2 ms (Ausschalten).
● Hohe Eingangs-Ausgangs-Isolationsspannung: 3750 Vrms für 1 Minute.
| Teilenummer | HSSR-S1A04h-2 |
| Ersatzteilnummer | TLP170J |
| Paket | SOP4 |
| Lastspannung (V) | 600 |
| Dauerlaststrom (A) | 0.05 |
| Typ.Einschaltwiderstand (Ω) | 40 |
| Kanal | 1 NO |
| Betriebstemperatur (℃) | -40 bis 110 |
| Isolationsspannung (VRMS) | 3750 |
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