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MOSFET
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85V N-Kanal-Verbesserungsmodus MOSFET AP400N08TLG1
Der AP400N08TLG1 verwendet die erweiterte APM-SGTⅰ-Technologie, um hervorragende RDS (ON), niedrige Gate-Ladung und Betrieb mit Gate-Spannungen von nur 10 V bereitzustellen. Dieses Gerät ist für die Verwendung als Batterieschutz oder bei einer anderen Schaltanwendung geeignet
-40V P-Kanalverbesserungsmodus MOSFET AP12P04S
Der AP12P04S verwendet fortschrittliche Grabentechnologie, um hervorragende RDS (ON), niedrige Gate -Ladung und Betrieb mit Gate -Spannungen von nur 4,5 V bereitzustellen. Dieses Gerät ist für die Verwendung als Batterieschutz oder bei einer anderen Schaltanwendung geeignet
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