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MOSFET
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85V N通道增强模式MOSFET AP400N08TLG1
AP400N08TLG1使用高级APM-SGTⅰ技术,提供出色的RDS(ON),低门电荷和操作,栅极电压低至10V。 该设备适合用作电池保护或其他交换应用
-40V P通道增强模式MOSFET AP12P04S
AP12P04S使用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON),低门电荷和操作,门电压低至4.5V。 该设备适合用作电池保护或其他交换应用
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