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内容

85V N通道增强模式MOSFET AP400N08TLG1

AP400N08TLG1使用高级APM-SGTⅰ技术，提供出色的RDS（ON），低门电荷和操作，栅极电压低至10V。该设备适合用作电池保护或其他交换应用

-40V P通道增强模式MOSFET AP12P04S

AP12P04S使用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON），低门电荷和操作，门电压低至4.5V。该设备适合用作电池保护或其他交换应用

+86 28 86519933

营业时间

星期一 - 星期五（GMT+8）：上午9点至下午6点星期六：上午9点至下午4点

Chengdu Eshine技术成立于2009年。它是整体解决方案提供商，整合了电子组件和技术支持服务的品牌代理

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