晶体管是由三个半导体区域及其相应电极组成的半导体装置。 它分类为NPN类型和PNP类型。 它的操作基于载体和当前控制的运动。 当底座和发射极是向前偏向的时，将发射极中的大多数载体注入基本区域，然后将部分载体扩散到收集器区域以形成收集器电流。 此外，基本电流的小变化可能会导致收集器电流发生重大变化。 重要参数包括当前扩增因子，与截止和饱和特征有关的参数以及频率特征参数等。 它应用于诸如放大电路，开关电路以及信号调节和解调之类的字段中。

晶闸管是一种半导体装置，具有四层和三个PN连接，具有三个电极。 它的操作基于内部PN连接和积极的反馈。 当阳极电势高于阴极的电势并且没有栅极触发信号时，它处于正向阻塞状态。 一旦应用了触发信号，它就会进行。 传导后，只要阳极电流大于保持电流，即使触发信号消失，也将保持传导。 它的特征包括可控性，高压和当前承受能力以及特定的关闭特性。 它应用于电子电路中的电源控制，电压调节和稳定性等领域。

电涌保护主要是通过使用电涌保护装置（SPD）来实现的。 常见的SPD包括变种，气体排放管和瞬态电压抑制二极管等。 变种器的电阻值随电压的变化而变化。 它在正常电压下表现出高电阻状态。 当电压超过其阈值时，电阻会迅速下降，将潮流电流转移到了地面，从而保护了后续电路。 在正常情况下，气体排出管是绝缘的。 当电压达到其击穿电压时，气体排放管内的气体被电离，形成了将潮能释放到地面的导电路径。 瞬态电压抑制器二极管利用其反向分解特性。 当潮流电压到达时，二极管会在相反的方向上分解，从而在安全范围内夹住了潮流电压。

电路的运行很容易受到各种异常条件的威胁。 For overvoltage (transient overvoltage caused by lightning, etc., which can be dealt with by using transient voltage suppressors (TVS) and varistors; continuous overvoltage caused by power grid fluctuations, etc., relying on zener diodes), overcurrent (relying on fuses and circuit breakers), electrostatic discharge (using ESD diodes and setting up anti-static areas), and electromagnetic干扰（依靠外部和适当的接线和内部过滤屏蔽外壳）对于确保电路组件和设备的正常运行至关重要 

二极管是具有单向电导率的半导体，由PN连接和两个电极组成。 当它向前偏向时，大多数载体会以电压下降的速度扩散并进行电力。 当逆向偏向时，少数携带者会以较小的泄漏电流进行电力。 如果反向电压超过故障电压，则电流将急剧增加，二极管容易损坏。 它具有参数，例如正向电压下降，反向故障电压和最大向前电流。 整流器二极管用于将交流电流转换为直流电流。 发光二极管（LED）在电动上电动并应用于照明，显示器和其他字段时发出光。 齐纳二极管可以稳定特定电压，并且经常用于电压调节器电路 

电容器是存储电荷的电子组件。 它由中间的两个导电电极和一个绝缘介质组成。 工作原理是当施加电压并连接到负载时放电时会充电。 它的特征参数包括电容值（衡量存储电荷的能力），电压承受值和耗散因子。 有类型的类型，例如陶瓷电容器，电解电容器和膜电容器，它们分别用于高频电路，功率过滤，电动机启动，耦合和绕过等。