MOSFET（金属 - 氧化物 - 氧化型场效应晶体管）是用于信号扩增和开关控制的场晶体管。 它具有栅极和通道之间的源，排水口，门和氧化物绝缘层。 对于增强模式MOSFET，当栅极源电压超过阈值电压时会形成导电通道。 对于耗尽模式MOSFET，制造过程中已经存在通道，并且栅极电压可以调节电流。 在特征方面，它具有很高的输入阻抗和快速开关速度。 主要参数包括阈值电压，跨导率，排水源故障电压等。 当将电源放大电路应用时，它可以提供高质量的音频放大。 在电源管理电路中，它可以实现有效的功率转换。 在数字电路中，作为逻辑元素，它可以实现与数据相关的功能，并且有利于高密度集成。

IGBT（绝缘栅极双极晶体管）是一种复合装置，结合了MOSFET（金属 - 氧化物 - 氧化物 - 触发器场效应晶体管）和双极晶体管的优势。 它有一个大门，一个收藏家和一个发射极。 它的工作原理是，栅极和发射极之间的正电压使MOSFET行为进行操作，然后使双极晶体管进行性能，从而控制收集器和发射极之间的电流。 它的特性包括高输入阻抗和州的状态电压降低。 主要参数是收集器 - 发射极分解电压，收集器电流等级，栅极发射机阈值电压等。 它应用于工业电机驾驶，电力系统中的逆变器，电动汽车中的电动机控制等，实现精确控制，有效的电能转换以及减少损失。

电感器是一种无源电子元件，利用电磁感应原理，当电流流过时，它会将电能储存在磁场中。电感是其功能的关键，它由线圈匝数、磁芯材料和设计决定。

电感器有多种类型，广泛用于滤波电路、电源储能、噪声抑制和射频信号处理。