MOSFET (الترانزستور الناجم عن تأثير أشباه الموصلات المعدنية) هو ترانزستور تأثير حقل يستخدم لتضخيم الإشارة والتحكم في التبديل. يحتوي على مصدر ، وصرف ، بوابة ، وطبقة عازلة أكسيد بين البوابة والقناة. بالنسبة إلى MOSFET وضع التحسين ، يتم تشكيل قناة موصلة عندما يتجاوز جهد المصدر البوابة الجهد العتبة. بالنسبة إلى MOSFET وضع النضوب ، توجد قناة بالفعل أثناء التصنيع ، ويمكن لجهد البوابة تنظيم التيار. من حيث الخصائص ، فإنه يحتوي على مقاومة عالية للمدخلات وسرعة التبديل السريع. تشمل المعلمات الرئيسية الجهد العتبة ، وموصلية الموصلات ، وجهد تفاصيل المصدر ، وما إلى ذلك ، إلخ. عند تطبيقها في دوائر تضخيم الطاقة ، يمكن أن يوفر تضخيم صوتي عالي الجودة. في دوائر إدارة الطاقة ، يمكن أن تحقق تحويل الطاقة الفعال. في الدوائر الرقمية ، كعنصر منطقي ، يمكنه الوفاء بالوظائف المتعلقة بالبيانات وتفضي إلى التكامل عالي الكثافة.

IGBT (ترانزستور ثنائي القطب المعزول) هو جهاز مركب يجمع بين مزايا MOSFET (ترانزستور تأثير الميدان المعدني أكسيد الأكسيد) والترانزستورات ثنائية القطب. لديها بوابة ، جامع ، وباعث. مبدأ العمل الخاص به هو أن الجهد الإيجابي بين البوابة والباعث يجعل سلوك MOSFET ، ثم يتم إجراء ترانزستور ثنائي القطب ، وبالتالي السيطرة على التيار بين المجمع والمعاجز. وتشمل خصائصها مقاومة عالية للمدخلات وانخفاض الجهد على الدول. المعلمات الرئيسية هي جهد انهيار الجمع بين التجميع ، وتصنيف تيار جامع ، وجهد عتبة البوابة ، وما إلى ذلك ، إلخ. يتم تطبيقه في قيادة المحركات الصناعية ، والمزولات في أنظمة الطاقة ، والتحكم في السيارات في السيارات الكهربائية ، وما إلى ذلك ، مما يتيح التحكم الدقيق ، وتحويل فعال للطاقة الكهربائية ، وتقليل الخسائر.

المحثّ هو مُكوّن إلكتروني سلبي يُخزّن الطاقة الكهربائية في مجال مغناطيسي عند مرور التيار الكهربائي عبره، ويعمل وفقًا لمبادئ الحثّ الكهرومغناطيسي. وتكمن وظيفته الأساسية في المحاثة، التي تُحدّدها لفات الملفّ، ومادة القلب، والتصميم.

تتوفر المحاثات بأنواع مختلفة، وتستخدم على نطاق واسع في الدوائر الخاصة بالترشيح، وتخزين الطاقة في مصادر الطاقة، وقمع الضوضاء، ومعالجة إشارات التردد اللاسلكي.