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-40V P-Kanalverbesserungsmodus MOSFET AP12P04S
Der AP12P04S verwendet fortschrittliche Grabentechnologie, um hervorragende RDS (ON), niedrige Gate -Ladung und Betrieb mit Gate -Spannungen von nur 4,5 V bereitzustellen. Dieses Gerät ist für die Verwendung als Batterieschutz oder bei einer anderen Schaltanwendung geeignet.
5.0
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Produktmerkmale
● VDS = -40V ID =-12A
Wir sind seit Jahren in der Branche und kennen die Marktsituation und die Branchenanforderungen deutlicher als die meisten Hersteller.
● RDS(ON) < 18mΩ @ VGS = -10 V (Typ: 14mΩ)
Wir haben umfangreiche Kenntnisse über die Qualitätsstandards sowie die Marktbedürfnisse dieser Deckung gesammelt.
Anwendungen
Batterieschutz
Wir können auf einen akuten Markttrend reagieren, indem wir realisierbare Industrieanalysen durchführen.
Lastschalter
Wir können auf einen akuten Markttrend reagieren, indem wir realisierbare Industrieanalysen durchführen.
Unterbrechbarer Stromversorgung
Wir können auf einen akuten Markttrend reagieren, indem wir realisierbare Industrieanalysen durchführen.
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Die Chengdu Eshine -Technologie wurde 2009 gegründet. Es ist ein Gesamtlösungsanbieter, der die Markenagentur für elektronische Komponenten und technische Unterstützungsdienste integriert
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Betriebsstunden
Montag - Freitag (GMT+8): 9 - 18 Uhr Samstag: 9 bis 16 Uhr
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