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Relé

Los dispositivos discretos se refieren a componentes de semiconductores o electrónicos envasados ​​independientemente en los circuitos electrónicos, a diferencia de los circuitos integrados (ICS). Por lo general, realizan solo una función básica (como conmutación, amplificación, rectificación) y logran funciones complejas a través de combinaciones de circuitos externos. Como los bloques de construcción fundamentales de los sistemas electrónicos, los dispositivos discretos se utilizan ampliamente en campos como la gestión de energía, el procesamiento de señales y la conversión de energía. Los ejemplos comunes incluyen diodos, transistores, resistencias, condensadores, inductores, etc.

Contactor de DC
MOS-RELAY (FOTOMOS)
Relé

Un fusible es un contactor crítico de SA DC es un interruptor electromecánico especializado para los circuitos de corriente continua, que utiliza un electroimán para accionar contactos y habilita la conexión controlada o la desconexión de los circuitos de CC de alta corriente, al tiempo que cambian de forma segura las cargas de CC, proporcionando un aislamiento de circuitos de circuito, facilitando la operación remota de los sistemas de DC altos de DC, y garantizando el control de los equipos con el control actual de DC, al igual que los sistemas de los vehículos eléctricos, al igual que los sistemas de la batería, las baterías, los sistemas de la batería, las baterías, los sistemas de la batería, las baterías, los sistemas de alta d. Unidades y componentes de CC de energía renovable (solar/viento).

N.º de pieza Acuerdo de contacto Resistencia de contacto Calificación de contacto Voltaje nominal de la bobina Máx. Voltaje de contacto Máx. Contacto Actual Contacto auxiliar
EVHC50-12S/24S 1A ≤2mω(@50A &20℃) 50A 12V/24V 1500VDC 300 A a 500 V 2 veces sin
EVHC50A-12S/24S 1A ≤2mω(@50A &20℃) 50A 12V/24V 1500VDC 300 A a 500 V 2 veces con
EVHC100-12S/24S 1A ≤2mω(@100A &20℃) 100A 12V/24V 1500VDC 300 A a 500 V 3 veces sin
EVHC100A-12S/24S 1A ≤2mω(@100A &20℃) 100A 12V/24V 1500VDC 300 A a 500 V 3 veces con
EVHB150-12B/24B 1A ≤1mω(@150A &20℃) 150A 12V/24V 1500VDC 2500 A a 300 V 1 vez sin
EVHB150A-12B/24B 1A ≤1mω(@150A &20℃) 150A 12V/24V 1500VDC 2500 A a 300 V 1 vez con
EVHB200-12B/24B 1A ≤1mω(@200A &20℃) 200A 12V/24V 1500VDC 2500 A a 300 V 2 veces sin
EVHB200A-12B/24B 1A ≤1mω(@200A &20℃) 200A 12V/24V 1500VDC 2500 A a 300 V 2 veces con
EVHB250-12B/24B 1A ≤1mω(@250A &20℃) 250A 12V/24V 1500VDC 2500 A a 300 V 3 veces sin
EVHB250A-12B/24B 1A ≤1mω(@250A &20℃) 250A 12V/24V 1500VDC 2500 A a 300 V 3 veces con
JEB300-12B/24B 1A ≤0.3mω(@300A &20℃) 300A 12V/24V 1500VDC 3500 A a 300 V 1 vez sin
JEB300A-12B/24B 1A ≤0.3mω(@300A &20℃) 300A 12V/24V 1500VDC 3500 A a 300 V 1 vez con
JEB350-12B/24B 1A ≤0.3mω(@350A &20℃) 350A 12V/24V 1500VDC 4000 A a 300 V 1 vez sin
JEB350A-12B/24B 1A ≤0.3mω(@350A &20℃) 350A 12V/24V 1500VDC 4000 A a 300 V 1 vez con
JEB450-12B/24B 1A ≤0.3mω(@450A &20℃) 450A 12V/24V 1500VDC 4500 A a 300 V 1 vez sin
JEB450A-12B/24B 1A ≤0.3mω(@450A &20℃) 450A 12V/24V 1500VDC 4500 A a 300 V 1 vez con
JEB550-12B/24B 1A ≤0.3mω(@550A &20℃) 550A 12V/24V 1500VDC 5000 A a 300 V 1 vez sin
JEB550A-12B/24B 1A ≤0.3mω(@550A &20℃) 550A 12V/24V 1500VDC 5000 A a 300 V 1 vez con
Mos  (Relé de metal-óxido-semiconductor) es un tipo de relé electrónico que utiliza un MOSFET (transistor de efecto de campo de óxido de metal-óxido-semiconductor) como su elemento de conmutación, combinado con un optoacoplero (fotocoplero) para el control aislado.
N.º de pieza Reemplazo
N.º de pieza
Paquete Voltaje de carga (V) Continuo
Corriente de carga (A)
Resistencia típica (ω) Canal Temperatura de funcionamiento (℃) Voltaje de aislamiento
(VRMS)
HSSR-61A0D AQV258 DIP5/SMD5 1500 0.02 100 1 NO  -40~125 5000
HSSR-16S1A0D-2 ASSR-601J
TLX9160
SOP16 1500 0.02 100 1 NO 5000
HSSR-DA01 AQW214 DIP8/SMD8 400 0.1 25 2 NO  -40~85 5000
HSSR-DA04 AQW216 600 0.05 40 5000
HSSR-DA05 AQW212 60 0.5 1 5000
HSSR-DA06 / 60 2 0.1 5000
HSSR-DA08 / 60 1.25 0.2 5000
HSSR-61A01 AQV214 DIP6/SMD6 400 0.1 25 1 NO 5000
HSSR-61A04 AQV216 600 0.05 40 5000
HSSR-61A05 AQV212 60 0.5 1 5000
HSSR-61A08 AQV212G 60 1.25 0.2 5000
HSSR-61A06 / 60 2 0.1 5000
HSSR-41A01 AQY214 DIP4/SMD4 400 0.1 25 1 NO 5000
HSSR-41A04 AQY216 600 0.05 40 5000
HSSR-41A05 AQY212 60 0.5 1 5000
HSSR-41A08 AQY212G 60 1.25 0.2 5000
HSSR-41A06 AQY272 60 2 0.1 5000
HSSR-41A11 AQY414 400 0.1 25 1 NC 5000
HSSR-41A15 AQY412 60 0.5 1 5000
HSSR-S1A01-2 TLP172GAM SOP4 400 0.1 25 1 NO  -40~110 3750
HSSR-S1A04-2 TLP170J 600 0.05 40 3750
HSSR-S1A05-2 TLP172AM 60 0.5 1 3750
HSSR-S1A08-2 AQY212G2S 60 1.25 0.2 3750

Un transistor es un dispositivo semiconductor que consta de tres regiones semiconductores y sus electrodos correspondientes. Se clasifica en tipo NPN y tipo PNP. Su operación se basa en el movimiento de los portadores y el control actual. Cuando la base y el emisor están sesgados hacia adelante, la mayoría de los portadores en el emisor se inyectan en la región base, y luego parte de ellos se difunden a la región del colector para formar la corriente del colector. Además, un pequeño cambio en la corriente base puede conducir a un cambio significativo en la corriente del coleccionista. Los parámetros importantes incluyen el factor de amplificación actual, los parámetros relacionados con las características de corte y saturación, y parámetros característicos de frecuencia, etc. Se aplica en campos como circuitos de amplificación, circuitos de conmutación y modulación de señal y demodulación.

▏Seutomotive Relay
sin datos

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