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Relé
Los dispositivos discretos se refieren a componentes de semiconductores o electrónicos envasados independientemente en los circuitos electrónicos, a diferencia de los circuitos integrados (ICS). Por lo general, realizan solo una función básica (como conmutación, amplificación, rectificación) y logran funciones complejas a través de combinaciones de circuitos externos. Como los bloques de construcción fundamentales de los sistemas electrónicos, los dispositivos discretos se utilizan ampliamente en campos como la gestión de energía, el procesamiento de señales y la conversión de energía. Los ejemplos comunes incluyen diodos, transistores, resistencias, condensadores, inductores, etc.
Un fusible es un contactor crítico de SA DC es un interruptor electromecánico especializado para los circuitos de corriente continua, que utiliza un electroimán para accionar contactos y habilita la conexión controlada o la desconexión de los circuitos de CC de alta corriente, al tiempo que cambian de forma segura las cargas de CC, proporcionando un aislamiento de circuitos de circuito, facilitando la operación remota de los sistemas de DC altos de DC, y garantizando el control de los equipos con el control actual de DC, al igual que los sistemas de los vehículos eléctricos, al igual que los sistemas de la batería, las baterías, los sistemas de la batería, las baterías, los sistemas de la batería, las baterías, los sistemas de alta d. Unidades y componentes de CC de energía renovable (solar/viento).
No. | Arreglo de contacto | Resistencia de contacto | Clasificación de contacto | Voltaje nominal de bobina | Max. Voltaje de contacto | Max. Corriente de contacto | Contacto auxiliar |
EVHC50-12S/24S | 1A | & LE; 2Mω(@50A &20℃) | 50A | 12V/24V | 1500VDC | 300A@500V 2 veces | sin |
EVHC50A-12S/24S | 1A | & LE; 2Mω(@50A &20℃) | 50A | 12V/24V | 1500VDC | 300A@500V 2 veces | con |
EVHC100-12S/24S | 1A | & LE; 2Mω(@100A &20℃) | 100A | 12V/24V | 1500VDC | 300A@500V 3 veces | sin |
EVHC100A-12S/24S | 1A | & LE; 2Mω(@100A &20℃) | 100A | 12V/24V | 1500VDC | 300A@500V 3 veces | con |
EVHB150-12B/24B | 1A | & LE; 1Mω(@150A &20℃) | 150A | 12V/24V | 1500VDC | 2500A@300V 1 veces | sin |
EVHB150A-12B/24B | 1A | & LE; 1Mω(@150A &20℃) | 150A | 12V/24V | 1500VDC | 2500A@300V 1 veces | con |
EVHB200-12B/24B | 1A | & LE; 1Mω(@200A &20℃) | 200A | 12V/24V | 1500VDC | 2500A@300V 2 veces | sin |
EVHB200A-12B/24B | 1A | & LE; 1Mω(@200A &20℃) | 200A | 12V/24V | 1500VDC | 2500A@300V 2 veces | con |
EVHB250-12B/24B | 1A | & LE; 1Mω(@250A &20℃) | 250A | 12V/24V | 1500VDC | 2500A@300V 3 veces | sin |
EVHB250A-12B/24B | 1A | & LE; 1Mω(@250A &20℃) | 250A | 12V/24V | 1500VDC | 2500A@300V 3 veces | con |
JEB300-12B/24B | 1A | & LE; 0.3mω(@300A &20℃) | 300A | 12V/24V | 1500VDC | 3500A@300V 1 veces | sin |
JEB300A-12B/24B | 1A | & LE; 0.3mω(@300A &20℃) | 300A | 12V/24V | 1500VDC | 3500A@300V 1 veces | con |
JEB350-12B/24B | 1A | & LE; 0.3mω(@350A &20℃) | 350A | 12V/24V | 1500VDC | 4000A@300V 1 veces | sin |
JEB350A-12B/24B | 1A | & LE; 0.3mω(@350A &20℃) | 350A | 12V/24V | 1500VDC | 4000A@300V 1 veces | con |
JEB450-12B/24B | 1A | & LE; 0.3mω(@450A &20℃) | 450A | 12V/24V | 1500VDC | 4500A@300V 1 veces | sin |
JEB450A-12B/24B | 1A | & LE; 0.3mω(@450A &20℃) | 450A | 12V/24V | 1500VDC | 4500A@300V 1 veces | con |
JEB550-12B/24B | 1A | & LE; 0.3mω(@550A &20℃) | 550A | 12V/24V | 1500VDC | 5000A@300V 1 veces | sin |
JEB550A-12B/24B | 1A | & LE; 0.3mω(@550A &20℃) | 550A | 12V/24V | 1500VDC | 5000A@300V 1 veces | con |
Un transistor es un dispositivo semiconductor que consta de tres regiones semiconductores y sus electrodos correspondientes. Se clasifica en tipo NPN y tipo PNP. Su operación se basa en el movimiento de los portadores y el control actual. Cuando la base y el emisor están sesgados hacia adelante, la mayoría de los portadores en el emisor se inyectan en la región base, y luego parte de ellos se difunden a la región del colector para formar la corriente del colector. Además, un pequeño cambio en la corriente base puede conducir a un cambio significativo en la corriente del coleccionista. Los parámetros importantes incluyen el factor de amplificación actual, los parámetros relacionados con las características de corte y saturación, y parámetros característicos de frecuencia, etc. Se aplica en campos como circuitos de amplificación, circuitos de conmutación y modulación de señal y demodulación.
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