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Relé

Los dispositivos discretos se refieren a componentes de semiconductores o electrónicos envasados ​​independientemente en los circuitos electrónicos, a diferencia de los circuitos integrados (ICS). Por lo general, realizan solo una función básica (como conmutación, amplificación, rectificación) y logran funciones complejas a través de combinaciones de circuitos externos. Como los bloques de construcción fundamentales de los sistemas electrónicos, los dispositivos discretos se utilizan ampliamente en campos como la gestión de energía, el procesamiento de señales y la conversión de energía. Los ejemplos comunes incluyen diodos, transistores, resistencias, condensadores, inductores, etc.

Contactor de CC (sello epoxi)
Relé de CC (sello cerámico)
MOS-RELAY (FOTOMOS)
Relé

Un fusible es un contactor crítico de SA DC es un interruptor electromecánico especializado para los circuitos de corriente continua, que utiliza un electroimán para accionar contactos y habilita la conexión controlada o la desconexión de los circuitos de CC de alta corriente, al tiempo que cambian de forma segura las cargas de CC, proporcionando un aislamiento de circuitos de circuito, facilitando la operación remota de los sistemas de DC altos de DC, y garantizando el control de los equipos con el control actual de DC, al igual que los sistemas de los vehículos eléctricos, al igual que los sistemas de la batería, las baterías, los sistemas de la batería, las baterías, los sistemas de la batería, las baterías, los sistemas de alta d. Unidades y componentes de CC de energía renovable (solar/viento).

N.º de pieza Acuerdo de contacto Resistencia de contacto Calificación de contacto Voltaje nominal de la bobina Tensión máxima de contacto Corriente máxima de contacto Contacto auxiliar
EVHC50-12S/24S1A ≤2 mΩ (a 50 A y 20 ℃)50A12V/24V1500VDC 300 A a 500 V 2 veces sin
EVHC50A-12S/24S1A ≤2 mΩ (a 50 A y 20 ℃)50A12V/24V1500VDC 300 A a 500 V 2 veces con
EVHC100-12S/24S1A ≤2 mΩ (a 100 A y 20 ℃)100A12V/24V1500VDC 300 A a 500 V 3 veces sin
EVHC100A-12S/24S1A ≤2 mΩ (a 100 A y 20 ℃)100A12V/24V1500VDC 300 A a 500 V 3 veces con
EVHB150-12B/24B1A ≤1 mΩ (a 150 A y 20 ℃)150A12V/24V1500VDC 2500 A a 300 V 1 vez sin
EVHB150A-12B/24B1A ≤1 mΩ (a 150 A y 20 ℃)150A12V/24V1500VDC 2500 A a 300 V 1 vez con
EVHB200-12B/24B1A ≤1 mΩ (a 200 A y 20 ℃)200A12V/24V1500VDC 2500 A a 300 V 2 veces sin
EVHB200A-12B/24B1A ≤1 mΩ (a 200 A y 20 ℃)200A12V/24V1500VDC 2500 A a 300 V 2 veces con
EVHB250-12B/24B1A ≤1 mΩ (a 250 A y 20 ℃)250A12V/24V1500VDC 2500 A a 300 V 3 veces sin
EVHB250A-12B/24B1A ≤1 mΩ (a 250 A y 20 ℃)250A12V/24V1500VDC 2500 A a 300 V 3 veces con
JEB300-12B/24B1A ≤0,3 mΩ (a 300 A y 20 ℃)300A12V/24V1500VDC 3500 A a 300 V 1 vez sin
JEB300A-12B/24B1A ≤0,3 mΩ (a 300 A y 20 ℃)300A12V/24V1500VDC 3500 A a 300 V 1 vez con
JEB350-12B/24B1A ≤0,3 mΩ (a 350 A y 20 ℃)350A12V/24V1500VDC 4000 A a 300 V 1 vez sin
JEB350A-12B/24B1A ≤0,3 mΩ (a 350 A y 20 ℃)350A12V/24V1500VDC 4000 A a 300 V 1 vez con
JEB450-12B/24B1A ≤0,3 mΩ (a 450 A y 20 ℃)450A12V/24V1500VDC 4500 A a 300 V 1 vez sin
JEB450A-12B/24B1A ≤0,3 mΩ (a 450 A y 20 ℃)450A12V/24V1500VDC 4500 A a 300 V 1 vez con
JEB550-12B/24B1A ≤0,3 mΩ (a 550 A y 20 ℃)550A12V/24V1500VDC 5000 A a 300 V 1 vez sin
JEB550A-12B/24B1A ≤0,3 mΩ (a 550 A y 20 ℃)550A12V/24V1500VDC 5000 A a 300 V 1 vez con
Un relé de CC con sello cerámico es un tipo especializado de relé de corriente continua (CC), diseñado con una carcasa cerámica hermética para proteger sus componentes internos de las influencias ambientales externas. Funciona como un interruptor controlado eléctricamente, utilizando una bobina electromagnética alimentada por CC para abrir o cerrar contactos eléctricos, regulando así el flujo de corriente en un circuito de CC independiente.
N.º de pieza Acuerdo de contacto Resistencia de contacto Calificación de contacto Voltaje nominal de la bobina Tensión máxima de contacto Corriente máxima de contacto Contacto auxiliar
JEV150-12S/24S

1 contacto normalmente abierto

≤0,3 mΩ (a 150 A y 23 ℃)150A12V/24V1500VDC

1000 A a 1500 V 1 vez

sin
JEV150A-12S/24S 1 contacto normalmente abierto ≤0,3 mΩ (a 150 A y 23 ℃)150A12V/24V1500VDC 1000 A a 1500 V 1 vez con
JEV250-12S/24S 1 contacto normalmente abierto ≤0,3 mΩ (a 250 A y 23 ℃)250A12V/24V1500VDC 1000 A a 1500 V 1 vez sin
JEV250A-12S/24S 1 contacto normalmente abierto ≤0,3 mΩ (a 250 A y 23 ℃)250A12V/24V1500VDC 1000 A a 1500 V 1 vez con
JEV300-12S/24S 1 contacto normalmente abierto ≤0,3 mΩ (a 300 A y 23 ℃)300A12V/24V1500VDC 1000 A a 1500 V 1 vez sin
JEV300A-12S/24S 1 contacto normalmente abierto ≤0,3 mΩ (a 300 A y 23 ℃)300A12V/24V1500VDC 1000 A a 1500 V 1 vez con
JEV400-12S/24S 1 contacto normalmente abierto ≤0,3 mΩ (a 400 A y 23 ℃)400A12V/24V1500VDC 1000 A a 1500 V 1 vez sin
JEV400A-12S/24S 1 contacto normalmente abierto ≤0,3 mΩ (a 400 A y 23 ℃)400A12V/24V1500VDC 1000 A a 1500 V 1 vez con
JEV500-12S/24S 1 contacto normalmente abierto ≤0,3 mΩ (a 500 A y 23 ℃)500A12V/24V1500VDC 2000 A a 1500 V 1 vez sin
JEV500A-12S/24S 1 contacto normalmente abierto ≤0,3 mΩ (a 500 A y 23 ℃)500A12V/24V1500VDC 2000 A a 1500 V 1 vez con
JEV600-12S/24S 1 contacto normalmente abierto ≤0,3 mΩ (a 600 A y 20 ℃)600A12V/24V1500VDC 2000 A a 1500 V 1 vez sin
JEV600A-12S/24S 1 contacto normalmente abierto ≤0,3 mΩ (a 600 A y 20 ℃)600A12V/24V1500VDC 2000 A a 1500 V 1 vez con
Mos  (Relé de metal-óxido-semiconductor) es un tipo de relé electrónico que utiliza un MOSFET (transistor de efecto de campo de óxido de metal-óxido-semiconductor) como su elemento de conmutación, combinado con un optoacoplero (fotocoplero) para el control aislado.
N.º de pieza Reemplazo
N.º de pieza
Paquete Voltaje de carga (V) Continuo
Corriente de carga (A)
Resistencia típica (Ω) Canal Temperatura de funcionamiento (℃) Voltaje de aislamiento
(VRMS)
HSSR-61A0DAQV258DIP5/SMD515000.021001 NO -40~1255000
HSSR-16S1A0D-2ASSR-601J
TLX9160
SOP1615000.021001 NO5000
HSSR-DA01AQW214DIP8/SMD84000.1252 NO -40~855000
HSSR-DA04AQW2166000.05405000
HSSR-DA05AQW212600.5 15000
HSSR-DA06 /60 20.15000
HSSR-DA08 /601.250.25000
HSSR-61A01AQV214DIP6/SMD64000.1251 NO5000
HSSR-61A04AQV2166000.05405000
HSSR-61A05AQV212600.5 15000
HSSR-61A08AQV212G601.250.25000
HSSR-61A06 /60 20.15000
HSSR-41A01AQY214DIP4/SMD44000.1251 NO5000
HSSR-41A04AQY2166000.05405000
HSSR-41A05AQY212600.5 15000
HSSR-41A08AQY212G601.250.25000
HSSR-41A06AQY27260 20.15000
HSSR-41A11AQY4144000.1251 NC5000
HSSR-41A15AQY412600.5 15000
HSSR-S1A01-2TLP172GAMSOP44000.1251 NO -40~1103750
HSSR-S1A04-2TLP170J6000.05403750
HSSR-S1A05-2TLP172AM600.5 13750
HSSR-S1A08-2AQY212G2S601.250.23750

Un transistor es un dispositivo semiconductor que consta de tres regiones semiconductores y sus electrodos correspondientes. Se clasifica en tipo NPN y tipo PNP. Su operación se basa en el movimiento de los portadores y el control actual. Cuando la base y el emisor están sesgados hacia adelante, la mayoría de los portadores en el emisor se inyectan en la región base, y luego parte de ellos se difunden a la región del colector para formar la corriente del colector. Además, un pequeño cambio en la corriente base puede conducir a un cambio significativo en la corriente del coleccionista. Los parámetros importantes incluyen el factor de amplificación actual, los parámetros relacionados con las características de corte y saturación, y parámetros característicos de frecuencia, etc. Se aplica en campos como circuitos de amplificación, circuitos de conmutación y modulación de señal y demodulación.

▏Seutomotive Relay
sin datos

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