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Relé

Los dispositivos discretos se refieren a componentes de semiconductores o electrónicos envasados ​​independientemente en los circuitos electrónicos, a diferencia de los circuitos integrados (ICS). Por lo general, realizan solo una función básica (como conmutación, amplificación, rectificación) y logran funciones complejas a través de combinaciones de circuitos externos. Como los bloques de construcción fundamentales de los sistemas electrónicos, los dispositivos discretos se utilizan ampliamente en campos como la gestión de energía, el procesamiento de señales y la conversión de energía. Los ejemplos comunes incluyen diodos, transistores, resistencias, condensadores, inductores, etc.

Contactor de DC
MOS-RELAY (FOTOMOS)
Relé

Un fusible es un contactor crítico de SA DC es un interruptor electromecánico especializado para los circuitos de corriente continua, que utiliza un electroimán para accionar contactos y habilita la conexión controlada o la desconexión de los circuitos de CC de alta corriente, al tiempo que cambian de forma segura las cargas de CC, proporcionando un aislamiento de circuitos de circuito, facilitando la operación remota de los sistemas de DC altos de DC, y garantizando el control de los equipos con el control actual de DC, al igual que los sistemas de los vehículos eléctricos, al igual que los sistemas de la batería, las baterías, los sistemas de la batería, las baterías, los sistemas de la batería, las baterías, los sistemas de alta d. Unidades y componentes de CC de energía renovable (solar/viento).

No. Arreglo de contacto Resistencia de contacto Clasificación de contacto Voltaje nominal de bobina Max. Voltaje de contacto Max. Corriente de contacto Contacto auxiliar
EVHC50-12S/24S 1A & LE; 2Mω(@50A &20℃) 50A 12V/24V 1500VDC 300A@500V 2 veces sin
EVHC50A-12S/24S 1A & LE; 2Mω(@50A &20℃) 50A 12V/24V 1500VDC 300A@500V 2 veces con
EVHC100-12S/24S 1A & LE; 2Mω(@100A &20℃) 100A 12V/24V 1500VDC 300A@500V 3 veces sin
EVHC100A-12S/24S 1A & LE; 2Mω(@100A &20℃) 100A 12V/24V 1500VDC 300A@500V 3 veces con
EVHB150-12B/24B 1A & LE; 1Mω(@150A &20℃) 150A 12V/24V 1500VDC 2500A@300V 1 veces sin
EVHB150A-12B/24B 1A & LE; 1Mω(@150A &20℃) 150A 12V/24V 1500VDC 2500A@300V 1 veces con
EVHB200-12B/24B 1A & LE; 1Mω(@200A &20℃) 200A 12V/24V 1500VDC 2500A@300V 2 veces sin
EVHB200A-12B/24B 1A & LE; 1Mω(@200A &20℃) 200A 12V/24V 1500VDC 2500A@300V 2 veces con
EVHB250-12B/24B 1A & LE; 1Mω(@250A &20℃) 250A 12V/24V 1500VDC 2500A@300V 3 veces sin
EVHB250A-12B/24B 1A & LE; 1Mω(@250A &20℃) 250A 12V/24V 1500VDC 2500A@300V 3 veces con
JEB300-12B/24B 1A & LE; 0.3mω(@300A &20℃) 300A 12V/24V 1500VDC 3500A@300V 1 veces sin
JEB300A-12B/24B 1A & LE; 0.3mω(@300A &20℃) 300A 12V/24V 1500VDC 3500A@300V 1 veces con
JEB350-12B/24B 1A & LE; 0.3mω(@350A &20℃) 350A 12V/24V 1500VDC 4000A@300V 1 veces sin
JEB350A-12B/24B 1A & LE; 0.3mω(@350A &20℃) 350A 12V/24V 1500VDC 4000A@300V 1 veces con
JEB450-12B/24B 1A & LE; 0.3mω(@450A &20℃) 450A 12V/24V 1500VDC 4500A@300V 1 veces sin
JEB450A-12B/24B 1A & LE; 0.3mω(@450A &20℃) 450A 12V/24V 1500VDC 4500A@300V 1 veces con
JEB550-12B/24B 1A & LE; 0.3mω(@550A &20℃) 550A 12V/24V 1500VDC 5000A@300V 1 veces sin
JEB550A-12B/24B 1A & LE; 0.3mω(@550A &20℃) 550A 12V/24V 1500VDC 5000A@300V 1 veces con
Mos  (Relé de metal-óxido-semiconductor) es un tipo de relé electrónico que utiliza un MOSFET (transistor de efecto de campo de óxido de metal-óxido-semiconductor) como su elemento de conmutación, combinado con un optoacoplero (fotocoplero) para el control aislado.
|   Foto MOSFET Relé de estado sólido
HSSR-61A0D
1500V de alto voltaje MOS-Relay
HSSR-16S1A0S-2
1500V de alto voltaje MOS-Relay
HSSR-S1A08-2
60V MOS-Relay
sin datos

Un transistor es un dispositivo semiconductor que consta de tres regiones semiconductores y sus electrodos correspondientes. Se clasifica en tipo NPN y tipo PNP. Su operación se basa en el movimiento de los portadores y el control actual. Cuando la base y el emisor están sesgados hacia adelante, la mayoría de los portadores en el emisor se inyectan en la región base, y luego parte de ellos se difunden a la región del colector para formar la corriente del colector. Además, un pequeño cambio en la corriente base puede conducir a un cambio significativo en la corriente del coleccionista. Los parámetros importantes incluyen el factor de amplificación actual, los parámetros relacionados con las características de corte y saturación, y parámetros característicos de frecuencia, etc. Se aplica en campos como circuitos de amplificación, circuitos de conmutación y modulación de señal y demodulación.

▏Seutomotive Relay
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