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Relais
Les dispositifs discrets se réfèrent à des composants semi-conducteurs ou électroniques à fonctions mono-fonctionnaires indépendamment dans des circuits électroniques, par opposition aux circuits intégrés (CI). Ils remplissent généralement une seule fonction de base (telle que la commutation, l'amplification, la rectification) et atteignent des fonctions complexes à travers des combinaisons de circuits externes. Comme les éléments constitutifs fondamentaux des systèmes électroniques, les dispositifs discrets sont largement utilisés dans des domaines tels que la gestion de l'alimentation, le traitement du signal et la conversion de puissance. Les exemples courants incluent les diodes, les transistors, les résistances, les condensateurs, les inductances, etc.
Un fusible est un contacteur SA DC critique est un commutateur électromécanique spécialisé pour les circuits de courant direct, en utilisant un électromêne pour actionner les contacts et activer la connexion contrôlée ou la déconnexion des circuits DC à haut courant, tout en faisant du transfert en toute sécurité, en garantissant un contrôle industriel de la DC, en facilitant l'équipement à dossiers électriques, et en cas de contrôle industriel fiable dans DC-Powe Drives et composants CC d'énergie renouvelable (solaire / éolien).
| Numéro de pièce | Accord de contact | Résistance de contact | Évaluation des contacts | Tension nominale de la bobine | Max. Tension de contact | Max. Contacter Current | Contact auxiliaire |
| EVHC50-12S/24S | 1A | ≤2mω（@50A &20℃） | 50A | 12V/24V | 1500VDC | 300A@500V 2 fois | sans |
| EVHC50A-12S/24S | 1A | ≤2mω（@50A &20℃） | 50A | 12V/24V | 1500VDC | 300A@500V 2 fois | avec |
| EVHC100-12S/24S | 1A | ≤2mω（@100A &20℃） | 100A | 12V/24V | 1500VDC | 300A à 500V 3 fois | sans |
| EVHC100A-12S/24S | 1A | ≤2mω（@100A &20℃） | 100A | 12V/24V | 1500VDC | 300A à 500V 3 fois | avec |
| EVHB150-12B/24B | 1A | ≤1mω（@150A &20℃） | 150A | 12V/24V | 1500VDC | 2500A@300V 1 fois | sans |
| EVHB150A-12B/24B | 1A | ≤1mω（@150A &20℃） | 150A | 12V/24V | 1500VDC | 2500A@300V 1 fois | avec |
| EVHB200-12B/24B | 1A | ≤1mω（@200A &20℃） | 200A | 12V/24V | 1500VDC | 2500A@300V 2 fois | sans |
| EVHB200A-12B/24B | 1A | ≤1mω（@200A &20℃） | 200A | 12V/24V | 1500VDC | 2500A@300V 2 fois | avec |
| EVHB250-12B/24B | 1A | ≤1mω（@250A &20℃） | 250A | 12V/24V | 1500VDC | 2500A@300V 3 fois | sans |
| EVHB250A-12B/24B | 1A | ≤1mω（@250A &20℃） | 250A | 12V/24V | 1500VDC | 2500A@300V 3 fois | avec |
| JEB300-12B/24B | 1A | ≤0,3 mω（@300A &20℃） | 300A | 12V/24V | 1500VDC | 3500A@300V 1 fois | sans |
| JEB300A-12B/24B | 1A | ≤0,3 mω（@300A &20℃） | 300A | 12V/24V | 1500VDC | 3500A@300V 1 fois | avec |
| JEB350-12B/24B | 1A | ≤0,3 mω（@350A &20℃） | 350A | 12V/24V | 1500VDC | 4000A à 300V 1 fois | sans |
| JEB350A-12B/24B | 1A | ≤0,3 mω（@350A &20℃） | 350A | 12V/24V | 1500VDC | 4000A à 300V 1 fois | avec |
| JEB450-12B/24B | 1A | ≤0,3 mω（@450A &20℃） | 450A | 12V/24V | 1500VDC | 4500A@300V 1 fois | sans |
| JEB450A-12B/24B | 1A | ≤0,3 mω（@450A &20℃） | 450A | 12V/24V | 1500VDC | 4500A@300V 1 fois | avec |
| JEB550-12B/24B | 1A | ≤0,3 mω（@550A &20℃） | 550A | 12V/24V | 1500VDC | 5000A à 300V 1 fois | sans |
| JEB550A-12B/24B | 1A | ≤0,3 mω（@550A &20℃） | 550A | 12V/24V | 1500VDC | 5000A à 300V 1 fois | avec |
| Numéro de pièce |
Remplacement
Numéro de pièce | Emballer | Tension de charge (V) |
Continu
Courant de charge (A) | Résistance typ.On(ω) | Canal | Température de fonctionnement (℃) |
Tension d'isolement
(VRMS) |
| HSSR-61A0D | AQV258 | DIP5/SMD5 | 1500 | 0.02 | 100 | 1 NO | -40~125 | 5000 |
| HSSR-16S1A0D-2 |
ASSR-601J
TLX9160 | SOP16 | 1500 | 0.02 | 100 | 1 NO | 5000 | |
| HSSR-DA01 | AQW214 | DIP8/SMD8 | 400 | 0.1 | 25 | 2 NO | -40~85 | 5000 |
| HSSR-DA04 | AQW216 | 600 | 0.05 | 40 | 5000 | |||
| HSSR-DA05 | AQW212 | 60 | 0.5 | 1 | 5000 | |||
| HSSR-DA06 | / | 60 | 2 | 0.1 | 5000 | |||
| HSSR-DA08 | / | 60 | 1.25 | 0.2 | 5000 | |||
| HSSR-61A01 | AQV214 | DIP6/SMD6 | 400 | 0.1 | 25 | 1 NO | 5000 | |
| HSSR-61A04 | AQV216 | 600 | 0.05 | 40 | 5000 | |||
| HSSR-61A05 | AQV212 | 60 | 0.5 | 1 | 5000 | |||
| HSSR-61A08 | AQV212G | 60 | 1.25 | 0.2 | 5000 | |||
| HSSR-61A06 | / | 60 | 2 | 0.1 | 5000 | |||
| HSSR-41A01 | AQY214 | DIP4/SMD4 | 400 | 0.1 | 25 | 1 NO | 5000 | |
| HSSR-41A04 | AQY216 | 600 | 0.05 | 40 | 5000 | |||
| HSSR-41A05 | AQY212 | 60 | 0.5 | 1 | 5000 | |||
| HSSR-41A08 | AQY212G | 60 | 1.25 | 0.2 | 5000 | |||
| HSSR-41A06 | AQY272 | 60 | 2 | 0.1 | 5000 | |||
| HSSR-41A11 | AQY414 | 400 | 0.1 | 25 | 1 NC | 5000 | ||
| HSSR-41A15 | AQY412 | 60 | 0.5 | 1 | 5000 | |||
| HSSR-S1A01-2 | TLP172GAM | SOP4 | 400 | 0.1 | 25 | 1 NO | -40~110 | 3750 |
| HSSR-S1A04-2 | TLP170J | 600 | 0.05 | 40 | 3750 | |||
| HSSR-S1A05-2 | TLP172AM | 60 | 0.5 | 1 | 3750 | |||
| HSSR-S1A08-2 | AQY212G2S | 60 | 1.25 | 0.2 | 3750 |
Un transistor est un dispositif de semi-conducteur composé de trois régions semi-conducteurs et de leurs électrodes correspondantes. Il est classé en type NPN et type PNP. Son fonctionnement est basé sur le mouvement des porteurs et le contrôle du courant. Lorsque la base et l'émetteur sont biaisés vers l'avant, la plupart des porteurs de l'émetteur sont injectés dans la région de base, puis une partie d'entre eux se diffuse à la région du collecteur pour former le courant de collecteur. De plus, un petit changement dans le courant de base peut entraîner un changement significatif du courant du collecteur. Les paramètres importants comprennent le facteur d'amplification actuel, les paramètres liés aux caractéristiques de coupure et de saturation et les paramètres de caractéristiques de fréquence, etc. Il est appliqué dans des champs tels que les circuits d'amplification, les circuits de commutation, la modulation du signal et la démodulation.
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