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Relais

Les dispositifs discrets se réfèrent à des composants semi-conducteurs ou électroniques à fonctions mono-fonctionnaires indépendamment dans des circuits électroniques, par opposition aux circuits intégrés (CI). Ils remplissent généralement une seule fonction de base (telle que la commutation, l'amplification, la rectification) et atteignent des fonctions complexes à travers des combinaisons de circuits externes. Comme les éléments constitutifs fondamentaux des systèmes électroniques, les dispositifs discrets sont largement utilisés dans des domaines tels que la gestion de l'alimentation, le traitement du signal et la conversion de puissance. Les exemples courants incluent les diodes, les transistors, les résistances, les condensateurs, les inductances, etc.

Contacteur CC (joint époxy)
Relais CC (joint en céramique)
MOS-Relay (Photomos)
Relais

Un fusible est un contacteur SA DC critique est un commutateur électromécanique spécialisé pour les circuits de courant direct, en utilisant un électromêne pour actionner les contacts et activer la connexion contrôlée ou la déconnexion des circuits DC à haut courant, tout en faisant du transfert en toute sécurité, en garantissant un contrôle industriel de la DC, en facilitant l'équipement à dossiers électriques, et en cas de contrôle industriel fiable dans DC-Powe Drives et composants CC d'énergie renouvelable (solaire / éolien).

Numéro de pièce Modalités de contact Résistance de contact Évaluation du contact Tension nominale de la bobine Tension de contact maximale Courant de contact maximal Contact auxiliaire
EVHC50-12S/24S1A ≤2mΩ (à 50 A et 20 °C)50A12V/24V1500VDC 300 A à 500 V, 2 fois sans
EVHC50A-12S/24S1A ≤2mΩ (à 50 A et 20 °C)50A12V/24V1500VDC 300 A à 500 V, 2 fois avec
EVHC100-12S/24S1A ≤2mΩ (à 100 A et 20 °C)100A12V/24V1500VDC 300 A à 500 V, 3 fois sans
EVHC100A-12S/24S1A ≤2mΩ (à 100 A et 20 °C)100A12V/24V1500VDC 300 A à 500 V, 3 fois avec
EVHB150-12B/24B1A ≤1mΩ (à 150 A et 20 °C)150A12V/24V1500VDC 2500 A à 300 V (une seule fois) sans
EVHB150A-12B/24B1A ≤1mΩ (à 150 A et 20 °C)150A12V/24V1500VDC 2500 A à 300 V (une seule fois) avec
EVHB200-12B/24B1A ≤1mΩ (à 200 A et 20 °C)200A12V/24V1500VDC 2500 A à 300 V, 2 fois sans
EVHB200A-12B/24B1A ≤1mΩ (à 200 A et 20 °C)200A12V/24V1500VDC 2500 A à 300 V, 2 fois avec
EVHB250-12B/24B1A ≤1mΩ (à 250 A et 20 °C)250A12V/24V1500VDC 2500 A à 300 V, 3 fois sans
EVHB250A-12B/24B1A ≤1mΩ (à 250 A et 20 °C)250A12V/24V1500VDC 2500 A à 300 V, 3 fois avec
JEB300-12B/24B1A ≤0,3 mΩ (à 300 A et 20 °C)300A12V/24V1500VDC 3500 A à 300 V (une seule fois) sans
JEB300A-12B/24B1A ≤0,3 mΩ (à 300 A et 20 °C)300A12V/24V1500VDC 3500 A à 300 V (une seule fois) avec
JEB350-12B/24B1A ≤0,3 mΩ (à 350 A et 20 °C)350A12V/24V1500VDC 4000 A à 300 V (une seule fois) sans
JEB350A-12B/24B1A ≤0,3 mΩ (à 350 A et 20 °C)350A12V/24V1500VDC 4000 A à 300 V (une seule fois) avec
JEB450-12B/24B1A ≤0,3 mΩ (à 450 A et 20 °C)450A12V/24V1500VDC 4500 A à 300 V (une seule fois) sans
JEB450A-12B/24B1A ≤0,3 mΩ (à 450 A et 20 °C)450A12V/24V1500VDC 4500 A à 300 V (une seule fois) avec
JEB550-12B/24B1A ≤0,3 mΩ (à 550 A et 20 °C)550A12V/24V1500VDC 5000 A à 300 V (une seule fois) sans
JEB550A-12B/24B1A ≤0,3 mΩ (à 550 A et 20 °C)550A12V/24V1500VDC 5000 A à 300 V (une seule fois) avec
Un relais CC à joint céramique est un type spécifique de relais à courant continu (CC) conçu avec un boîtier céramique hermétique pour protéger ses composants internes des agressions extérieures. Il fonctionne comme un interrupteur à commande électrique, utilisant une bobine électromagnétique alimentée en CC pour ouvrir ou fermer les contacts électriques, régulant ainsi le flux de courant dans un circuit CC séparé.
Numéro de pièce Modalités de contact Résistance de contact Évaluation du contact Tension nominale de la bobine Tension de contact maximale Courant de contact maximal Contact auxiliaire
JEV150-12S/24S

1 contact ouvert normal

≤0,3 mΩ (à 150 A et 23 °C)150A12V/24V1500VDC

1000 A à 1500 V une fois

sans
JEV150A-12S/24S 1 contact ouvert normal ≤0,3 mΩ (à 150 A et 23 °C)150A12V/24V1500VDC 1000 A à 1500 V une fois avec
JEV250-12S/24S 1 contact ouvert normal ≤0,3 mΩ (à 250 A et 23 °C)250A12V/24V1500VDC 1000 A à 1500 V une fois sans
JEV250A-12S/24S 1 contact ouvert normal ≤0,3 mΩ (à 250 A et 23 °C)250A12V/24V1500VDC 1000 A à 1500 V une fois avec
JEV300-12S/24S 1 contact ouvert normal ≤0,3 mΩ (à 300 A et 23 °C)300A12V/24V1500VDC 1000 A à 1500 V une fois sans
JEV300A-12S/24S 1 contact ouvert normal ≤0,3 mΩ (à 300 A et 23 °C)300A12V/24V1500VDC 1000 A à 1500 V une fois avec
JEV400-12S/24S 1 contact ouvert normal ≤0,3 mΩ (à 400 A et 23 °C)400A12V/24V1500VDC 1000 A à 1500 V une fois sans
JEV400A-12S/24S 1 contact ouvert normal ≤0,3 mΩ (à 400 A et 23 °C)400A12V/24V1500VDC 1000 A à 1500 V une fois avec
JEV500-12S/24S 1 contact ouvert normal ≤0,3 mΩ (à 500 A et 23 °C)500A12V/24V1500VDC 2000 A à 1500 V une fois sans
JEV500A-12S/24S 1 contact ouvert normal ≤0,3 mΩ (à 500 A et 23 °C)500A12V/24V1500VDC 2000 A à 1500 V une fois avec
JEV600-12S/24S 1 contact ouvert normal ≤0,3 mΩ (à 600 A et 20 °C)600A12V/24V1500VDC 2000 A à 1500 V une fois sans
JEV600A-12S/24S 1 contact ouvert normal ≤0,3 mΩ (à 600 A et 20 °C)600A12V/24V1500VDC 2000 A à 1500 V une fois avec
Relais  (Le relais de sémiconducteur métal-oxyde-semi-conducteur) est un type de relais électronique qui utilise un MOSFET (transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) comme élément de commutation, combiné avec un optocoupleur (photocoupleur) pour un contrôle isolé.
Numéro de pièce Remplacement
Numéro de pièce
Emballer Tension de charge (V) Continu
Courant de charge (A)
Résistance typique (Ω) Canal Température de fonctionnement (℃) Tension d'isolement
(VRMS)
HSSR-61A0DAQV258DIP5/SMD515000.021001 NO -40~1255000
HSSR-16S1A0D-2ASSR-601J
TLX9160
SOP1615000.021001 NO5000
HSSR-DA01AQW214DIP8/SMD84000.1252 NO -40~855000
HSSR-DA04AQW2166000.05405000
HSSR-DA05AQW212600.5 15000
HSSR-DA06 /60 20.15000
HSSR-DA08 /601.250.25000
HSSR-61A01AQV214DIP6/SMD64000.1251 NO5000
HSSR-61A04AQV2166000.05405000
HSSR-61A05AQV212600.5 15000
HSSR-61A08AQV212G601.250.25000
HSSR-61A06 /60 20.15000
HSSR-41A01AQY214DIP4/SMD44000.1251 NO5000
HSSR-41A04AQY2166000.05405000
HSSR-41A05AQY212600.5 15000
HSSR-41A08AQY212G601.250.25000
HSSR-41A06AQY27260 20.15000
HSSR-41A11AQY4144000.1251 NC5000
HSSR-41A15AQY412600.5 15000
HSSR-S1A01-2TLP172GAMSOP44000.1251 NO -40~1103750
HSSR-S1A04-2TLP170J6000.05403750
HSSR-S1A05-2TLP172AM600.5 13750
HSSR-S1A08-2AQY212G2S601.250.23750

Un transistor est un dispositif de semi-conducteur composé de trois régions semi-conducteurs et de leurs électrodes correspondantes. Il est classé en type NPN et type PNP. Son fonctionnement est basé sur le mouvement des porteurs et le contrôle du courant. Lorsque la base et l'émetteur sont biaisés vers l'avant, la plupart des porteurs de l'émetteur sont injectés dans la région de base, puis une partie d'entre eux se diffuse à la région du collecteur pour former le courant de collecteur. De plus, un petit changement dans le courant de base peut entraîner un changement significatif du courant du collecteur. Les paramètres importants comprennent le facteur d'amplification actuel, les paramètres liés aux caractéristiques de coupure et de saturation et les paramètres de caractéristiques de fréquence, etc. Il est appliqué dans des champs tels que les circuits d'amplification, les circuits de commutation, la modulation du signal et la démodulation.

Relais Automotive
pas de données

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