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Relais

Les dispositifs discrets se réfèrent à des composants semi-conducteurs ou électroniques à fonctions mono-fonctionnaires indépendamment dans des circuits électroniques, par opposition aux circuits intégrés (CI). Ils remplissent généralement une seule fonction de base (telle que la commutation, l'amplification, la rectification) et atteignent des fonctions complexes à travers des combinaisons de circuits externes. Comme les éléments constitutifs fondamentaux des systèmes électroniques, les dispositifs discrets sont largement utilisés dans des domaines tels que la gestion de l'alimentation, le traitement du signal et la conversion de puissance. Les exemples courants incluent les diodes, les transistors, les résistances, les condensateurs, les inductances, etc.

Contacteur DC
MOS-Relay (Photomos)
Relais

Un fusible est un contacteur SA DC critique est un commutateur électromécanique spécialisé pour les circuits de courant direct, en utilisant un électromêne pour actionner les contacts et activer la connexion contrôlée ou la déconnexion des circuits DC à haut courant, tout en faisant du transfert en toute sécurité, en garantissant un contrôle industriel de la DC, en facilitant l'équipement à dossiers électriques, et en cas de contrôle industriel fiable dans DC-Powe Drives et composants CC d'énergie renouvelable (solaire / éolien).

N ° de pièce Disposition des contacts Résistance aux contacts Cote de contact Tension nominale de la bobine Max. Tension de contact Max. Contactez le courant Contact auxiliaire
EVHC50-12S/24S 1A & LE; 2Mω(@50A &20℃) 50A 12V/24V 1500VDC 300A @ 500V 2Times sans
EVHC50A-12S/24S 1A & LE; 2Mω(@50A &20℃) 50A 12V/24V 1500VDC 300A @ 500V 2Times avec
EVHC100-12S/24S 1A & LE; 2Mω(@100A &20℃) 100A 12V/24V 1500VDC 300A @ 500V 3Times sans
EVHC100A-12S/24S 1A & LE; 2Mω(@100A &20℃) 100A 12V/24V 1500VDC 300A @ 500V 3Times avec
EVHB150-12B/24B 1A & LE; 1Mω(@150A &20℃) 150A 12V/24V 1500VDC 2500a @ 300v 1time sans
EVHB150A-12B/24B 1A & LE; 1Mω(@150A &20℃) 150A 12V/24V 1500VDC 2500a @ 300v 1time avec
EVHB200-12B/24B 1A & LE; 1Mω(@200A &20℃) 200A 12V/24V 1500VDC 2500A @ 300V 2Times sans
EVHB200A-12B/24B 1A & LE; 1Mω(@200A &20℃) 200A 12V/24V 1500VDC 2500A @ 300V 2Times avec
EVHB250-12B/24B 1A & LE; 1Mω(@250A &20℃) 250A 12V/24V 1500VDC 2500A @ 300V 3Times sans
EVHB250A-12B/24B 1A & LE; 1Mω(@250A &20℃) 250A 12V/24V 1500VDC 2500A @ 300V 3Times avec
JEB300-12B/24B 1A & LE; 0,3 mω(@300A &20℃) 300A 12V/24V 1500VDC 3500A @ 300V 1time sans
JEB300A-12B/24B 1A & LE; 0,3 mω(@300A &20℃) 300A 12V/24V 1500VDC 3500A @ 300V 1time avec
JEB350-12B/24B 1A & LE; 0,3 mω(@350A &20℃) 350A 12V/24V 1500VDC 4000A @ 300V 1time sans
JEB350A-12B/24B 1A & LE; 0,3 mω(@350A &20℃) 350A 12V/24V 1500VDC 4000A @ 300V 1time avec
JEB450-12B/24B 1A & LE; 0,3 mω(@450A &20℃) 450A 12V/24V 1500VDC 4500A @ 300V 1time sans
JEB450A-12B/24B 1A & LE; 0,3 mω(@450A &20℃) 450A 12V/24V 1500VDC 4500A @ 300V 1time avec
JEB550-12B/24B 1A & LE; 0,3 mω(@550A &20℃) 550A 12V/24V 1500VDC 5000A @ 300V 1time sans
JEB550A-12B/24B 1A & LE; 0,3 mω(@550A &20℃) 550A 12V/24V 1500VDC 5000A @ 300V 1time avec
Relais  (Le relais de sémiconducteur métal-oxyde-semi-conducteur) est un type de relais électronique qui utilise un MOSFET (transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) comme élément de commutation, combiné avec un optocoupleur (photocoupleur) pour un contrôle isolé.
|   Photo MOSFET Solid State Relay
HSSR-61A0D
RELAIS DE MOS haute tension de 1500 V
HSSR-16S1A0S-2
RELAIS DE MOS haute tension de 1500 V
HSSR-S1A08-2
Relay 60V
pas de données

Un transistor est un dispositif de semi-conducteur composé de trois régions semi-conducteurs et de leurs électrodes correspondantes. Il est classé en type NPN et type PNP. Son fonctionnement est basé sur le mouvement des porteurs et le contrôle du courant. Lorsque la base et l'émetteur sont biaisés vers l'avant, la plupart des porteurs de l'émetteur sont injectés dans la région de base, puis une partie d'entre eux se diffuse à la région du collecteur pour former le courant de collecteur. De plus, un petit changement dans le courant de base peut entraîner un changement significatif du courant du collecteur. Les paramètres importants comprennent le facteur d'amplification actuel, les paramètres liés aux caractéristiques de coupure et de saturation et les paramètres de caractéristiques de fréquence, etc. Il est appliqué dans des champs tels que les circuits d'amplification, les circuits de commutation, la modulation du signal et la démodulation.

Relais Automotive
pas de données

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