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P-MOS RELAY 60V FOR CHARGING PILE HSSR-S1A08-2 1
P-MOS RELAY 60V FOR CHARGING PILE HSSR-S1A08-2 2
P-MOS RELAY 60V FOR CHARGING PILE HSSR-S1A08-2 1
P-MOS RELAY 60V FOR CHARGING PILE HSSR-S1A08-2 2

P-MOS RELAY 60V FOR CHARGING PILE HSSR-S1A08-2

Le HSSR-S1A08-2 se compose d'un étage d'entrée de diode émettant des algaaas optiquement couplé à un circuit de détection de sortie à haute tension. Le détecteur se compose d'un réseau de diodes photovoltaïques à haut débit et d'un circuit de pilote pour activer / désactiver deux MOSFET de haute tension discrètes. L'action de relais avec un courant d'entrée minimum de 5MA via la LED d'entrée. Le relais réinitialise avec une tension d'entrée de 0,8 V ou moins. Produits illustrés à la figure 1.
APPLICATION:
Commutation de télécommunications , Communications de données , Gestion de la batterie , Commandes industrielles , Équipement médical , Remplacement des relais EMR / Reed, tas de charge, compteur électrique intelligent, BMS, équipement industriel

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    Caractéristiques du produit


    Les produits sont conformes à la certification UL, VDE, CQC Safety.

    ●  Micro Photo Mosfet Solid State Relay.

    Canal unique normalement sur un relais à poitrine unique (SPST).

    Tension de sortie de 60V de sortie.

    Note de courant de 1300m.

    Courant d'entrée faible: compatibilité CMOS

    Commutation à grande vitesse: 1,3 ms (tonne), 0,2 ms (Toff) typique

    Tension d'isolation d'entrée à sortie élevée: 3750 VRMS pendant 1 min.

    N ° de pièce HSSR-S1A08-2
    N ° de pièce de remplacement AQY212G2S
    Emballer SOP4
    Tension de chargement (V) 60
    Courant de charge continu (a) 1.25
    Typ.on résistance (ω) 0.2
    Canal 1 NO
    Température de fonctionnement (℃)  -40~110
    Tension d'isolement (VRMS) 3750

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    La technologie de Chengdu Eshine a été créée en 2009. Il s'agit d'un fournisseur global de solutions intégrant l'agence de marque de composants électroniques et de services de support technique 
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