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◉ Le TPM2003 est un réseau de transistors NMOS à haute tension et à haute tension. Ce dispositif se compose de sept canaux de transistors NMOS à faible côté avec des sorties à haute tension et des diodes à roues libres pour les charges inductives. La cote de vidange maximale d'un seul canal NMOS est de 500 mA
◉ L'alimentation maximale de vidange d'un canal NMOS unique est de 500 mA. L'appareil prend en charge une large plage de tension d'E / S de 1,8 V à 30 V.
◉ Les transistors peuvent conduire en parallèle pour une capacité de courant plus élevée. Les performances ESD améliorées améliorent la fiabilité au niveau du système.
◉ Le TPM2003 peut remplacer les réseaux traditionnels de Darlington bipolaires par une meilleure efficacité thermique et une meilleure fiabilité.
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