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◉ El TPM2003 es una matriz de transistores NMOS de alto voltaje y alta corriente. Este dispositivo consta de siete canales de transistores NMOS de lado bajo con salidas de alto voltaje y diodos de ruedas libres para cargas inductivas. La calificación máxima de drenaje-corriente de un solo canal NMOS es de 500 mA
◉ La calificación máxima de drenaje-corriente de un solo canal NMOS es de 500 mA. El dispositivo admite un amplio rango de voltaje de E/S de 1.8 V a 30 V.
◉ Los transistores pueden conducir en paralelo para una mayor capacidad de corriente. El rendimiento mejorado de ESD mejora la confiabilidad a nivel del sistema.
◉ El TPM2003 puede reemplazar las matrices tradicionales de Darlington bipolar con una mejor eficiencia térmica y confiabilidad.
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