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晶体振荡器YSO110TR宽电压 1
晶体振荡器YSO110TR宽电压 2
晶体振荡器YSO110TR宽电压 3
晶体振荡器YSO110TR宽电压 4
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晶体振荡器YSO110TR宽电压 6

晶体振荡器YSO110TR宽电压

申请

- IOT

- 工业控制

- 消费电子产品

 

◉  特征

- 频率范围:1MHz〜125MHz

- 超小SMD接缝密封晶体振荡器

- 包装尺寸:1.6*1.2,2.0*1.6,2.5*2.0,3.2*2.5,5.0*3.2,7.0*5.0mm

    哎呀......!

    没有产品数据。

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    规格

    物品

    象征

    规格

    频率范围

    fo

    1MHz〜125MHz

    电源电压

    VDD

    1.8V~3.3V

    输出类型

    -

    CMOS

    频率公差(在25℃)

    f_tol

    ±10ppm,±20ppm或指定

    输出负载

    l_cmos

    15pf

    工作温度

    t_use

    -40〜+85°C或指定

    存储温度

    T_STG

    -55~+125°C

    频率与
    温度特征

    f_tem

    士20ppm,士30ppm,±50ppm或指定

    输出电压

    90%VDD分钟

    10%VDD最大

    占空比

    SYM

    45~55%

    启动时间

    t_str

    最大3ms

    上升时间/秋季时间

    tr/tf

    最大4NS

    相位抖动[12 kHz〜20 MHz]

    TPJ

    最大0.7PS

    频率老化(在25℃)

    f_age

    士最高3ppm/年

    三州

    启用(高压或浮动)

    VDD分钟的70%

    禁用(低压或GND)

    VDD最大的30%

    当前的消费

    功率耗散VCC = 1.8〜3.3V 15pf

    电源电压

    1.000~40.000MHZ

    41.000~54.000MHZ

    55.000~100.000MHZ

    7050/5032/3225

    2520/2016/1612

    7050/5032/3225/2520

    2016/1612

    7050/5032/3225/2520/2016/1612

    1.8V

    最大4mA

    最大4mA

    9MA最大

    10mA最大

    35ma最大

    2.5V

    4.5mA最大

    10mA最大

    3.3V

    最大5mA

    最大12mA

    请与我们联系以获取超过100MHz的频率的当前消费。

    别针

    #1

    #3

    #4

    #2

    FUNCTION

    三州

    GND

    OUTPUT

    VDD

    *右侧的图片仅用于引脚功能描述。

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