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晶体振荡器YSO210PR 1
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晶体振荡器YSO210PR

申请

-10 GB以太网,SONET,SATA,SAS,纤维频道

 

◉  特征

- 频率范围:10〜1500MHz

- 输出LVPECL或LVD

- 包装尺寸:3.2*2.5,5.0*3.2,7.0*5.0mm

- 石英晶体微分振荡器

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    规格

    项目/类型

    LVPECL

    LVDS

    评论

    占空比

    45~55%

     

    启动时间

    10多发性硬化症

    最小电源电压为0

    RMS抖动[12kHz〜20MHz]

    1.0PS典型。

    200MHZ~800MHZ

    2.0ps typ。

    801MHZ~1500MHZ

    老化

    ±3ppm

    25℃第一年,VDD = 2.5V,3.3V

    项目/类型

    LVPECL

    LVDS

    评论

    输出频率范围

    10MHZ~1500MHZ

     

    电源电压

    2.5V,3.3V

     

    总稳定性

    ±25ppm,±50ppm或指定

    包括25℃,第一年的初始容忍度。
    在25°C时老化,并且在工作温度上的变化

    工作温度范围

    -40〜+85℃或指定

     

    存储温度范围

    -55~+150℃

     

    当前的消费

    80mA最大

    50mA最大

    OE = VDD,LVPECL =(50)ωorlvds =(100)ω

    禁用电流

    16mA典型。

    OE=GND

    输出电压(LVPECL)

    voh = vdd-1.03 v min

    DC特征

    vol = vdd-1.6 V max

    输出电压(LVD)

     

    voh = 1.6 V最大

    DC特征

    Vol = 0.9 V min

    输出负载条件

    L_PECL=50Ω

    终止为VDD-2.0V

    L_LVDS=100Ω

    在外面连接

    输入电压

    VIH = 70%VDD最小值,VIL = 30%VDD Max

    OE终端

    上升时间/秋季时间

    ins max

    LVPECL:介于20%至80%之间(VOH-
    Vol),LVD:20%至80%
    差分输出峰到峰值电压

    当前的消费

    别针

    #1

    #2

    #3

    #4

    #5

    #6

    FUNCTION

    OE

    NC

    GND

    OUT+

    OUT-

    VDD

    笔记: 为了维持稳定的操作,在静脉下为0.01UF提供了0.1UF旁路电容器,尽可能接近晶体产物的电源端子(VDD-gnd之间)。

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